https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340181
標題: | High-performance self-aligned inversion-channel In 0.53 Ga 0.47 As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with Al 2 O 3/Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) as gate dielectrics | 作者: | Lin, TD Chiu, HC Chang, P Tung, LT Chen, CP Hong, M Kwo, J Tsai, W Wang, YC MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 93 | 起(迄)頁: | 033516 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340181 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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