https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/342559
標題: | Shallow-trench-isolation (STI)-induced mechanical-stress-related kink-effect behaviors of 40-nm PD SOI NMOS device | 作者: | I. S. Lin V. C. Su J. B. Kuo R. Lee G. S. Lin D. Chen C. S. Yeh C. T. Tsai M. Ma JAMES-B KUO |
公開日期: | 六月-2008 | 卷: | 55 | 期: | 6 | 起(迄)頁: | 1558-1562 | 來源出版物: | IEEE Transactions Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/342559 | DOI: | 10.1109/ted.2008.922858 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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