https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347701
標題: | Characterization of the electrostatic discharge induced interface traps in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors | 作者: | Tseng, J.-C. Hwu, J.-G. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 777-778 | 來源出版物: | IEEE International Reliability Physics Symposium | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-70449106995&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347701 |
DOI: | 10.1109/IRPS.2009.5173348 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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