https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347709
標題: | Constant bias-temperature and constant charge-temperature agings for silicon oxide films of MOS devices | 作者: | Hwu, J.-G. Chuang, J.-B. Fu, S.-L. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 1989 | 卷: | 48 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 377-383 | 來源出版物: | Applied Physics A Solids and Surfaces | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0024640611&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347709 |
DOI: | 10.1007/BF00618902 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。