https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349401
標題: | Achieving nearly free fermi-level movement and V th engineering in Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3)/In 0.2 Ga 0.8 As | 作者: | Lin, TD Wu, YD Chang, YC Chiang, TH Chuang, CY Lin, CA Chang, WH Chiu, HC Tsai, W Kwo, J others MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 127-128 | 來源出版物: | Device Research Conference, 2009 | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349401 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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