https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349421
標題: | Self-aligned inversion channel In 0.53 Ga 0.47 As n-MOSFETs with ALD-Al 2 O 3 and MBE-Al 2 O 3/Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) as gate dielectrics | 作者: | Chiu, HC Lin, TD Chang, P Lee, WC Chiang, CH Kwo, J Lin, YS Hsu, Shawn SH Tsai, W Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 141-142 | 來源出版物: | International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, 2009 | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/349421 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。