https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/350501
標題: | Bandgap dependence of band-to-band tunneling and defect-mediated excess currents in SiGe/Si heterojunction tunnel diodes grown by RTCVD | 作者: | Li, J.-Y. Sturm, J.C. JIUN-YUN LI |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 99-100 | 來源出版物: | Device Research Conference | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-76549130404&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/350501 |
DOI: | 10.1109/DRC.2009.5354859 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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