https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/351808
標題: | GaAAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer | 作者: | Y. R. Lin, Y. F. Lai, C. P. Liu, H. H. Lin, HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 三月-2009 | 卷: | 94 | 期: | 11 | 起(迄)頁: | 111106 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/351808 | DOI: | 10.1063/1.3100191 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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