https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/356362
標題: | Edge field enhanced deep depletion phenomenon in MOS structures with ultra-thin gate oxides | 作者: | Cheng, J.-Y. Lu, H.-T. Yang, C.-Y. Hwu, J.-G. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 2010 | 起(迄)頁: | 844-846 | 來源出版物: | ICSICT-2010 -10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-78751524776&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/356362 |
DOI: | 10.1109/ICSICT.2010.5667446 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。