https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357455
標題: | DC and RF characteristics of self-aligned inversion-channel In0. 53Ga0. 47As MOSFETs using MBE-Al2O3/Ga2O3 (Gd2O3) as gate dielectrics | 作者: | Lin, T Chang, P Chiu, H Hong, M Kwo, J Lin, Y Hsu, S MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 卷: | 28 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | Pages-C3H14 | 來源出版物: | Jorurnal Vacuum Science and Technology B | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357455 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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