https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357468
標題: | Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO 2 as a gate dielectric | 作者: | Chang, YC Chang, WH Chang, YH Kwo, J Lin, YS Hsu, SH Hong, JM Tsai, CC Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 卷: | 87 | 期: | 11 | 起(迄)頁: | 2042-2045 | 來源出版物: | Microelectronic Engineering | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357468 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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