https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359229
標題: | Modeling the Floating-Body-Effect-Induced Drain Current Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Via SPICE BJT/MOS Model Approach | 作者: | J. S. Su J. B. Kuo D. Chen C. S. Yeh JAMES-B KUO |
公開日期: | 一月-2010 | 來源出版物: | EUROSOI | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359229 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。