https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/364351
標題: | Defect density reduction of the Al 2 O 3/GaAs (001) interface by using H 2 S molecular beam passivation | 作者: | Merckling, C Chang, YC Lu, CY Penaud, J Brammertz, G Scarrozza, M Pourtois, G Kwo, J Hong, M Dekoster, J others MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 605 | 期: | 19 | 起(迄)頁: | 1778-1783 | 來源出版物: | Surface Science | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/364351 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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