標題: | Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments |
作者: | Unno, Y. Affolder, A.A. Allport, P.P. Bates, R. Betancourt, C. Bohm, J. Brown, H. Buttar, C. Carter, J.R. Casse, G. Chen, H. Chilingarov, A. Cindro, V. Clark, A. Dawson, N. Dewilde, B. Dolezal, Z. Eklund, L. Fadeyev, V. Ferrere, D. Fox, H. French, R. Garcia, C. Gerling, M. Gonzalez Sevilla, S. Gorelov, I. Greenall, A. Grillo, A.A. Hamasaki, N. Hara, K. Hatano, H. Hoeferkamp, M. Hommels, L.B.A. Ikegami, Y. Jakobs, K. Kamada, S. Kierstead, J. Kodys, P. Kohler, M. Kohriki, T. Kramberger, G. Lacasta, C. Li, Z. Lindgren, S. Lynn, D. Mikestikova, M. Maddock, P. Mandic, I. Marti I Garcia, S. Martinez-Mckinney, F. Maunu, R. McCarthy, R. Metcalfe, J. Mikuz, M. Minano, M. Mitsui, S. O'Shea, V. Paganis, S. Parzefall, U. Puldon, D. Robinson, D. Sadrozinski, H.F.-W. Sattari, S. Schamberger, D. Seidel, S. Seiden, A. Terada, S. Toms, K. Tsionou, D. Von Wilpert, J. Wormald, M. Wright, J. Yamada, M. Stathes Paganis |
公開日期: | 2011 |
卷: | A636 |
起(迄)頁: | S24-S30 |
來源出版物: | Nuclear Instruments and Methods |
URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/366103 |
DOI: | 10.1016/j.nima.2010.04.080 |
顯示於: | 物理學系
|