https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/371831
標題: | Realization of high-quality HfO2 on In0. 53Ga0. 47As by in-situ atomic-layer-deposition | 作者: | Lin, TD Chang, YH Lin, CA Huang, ML Lee, WC Kwo, J Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2012 | 卷: | 100 | 期: | 17 | 起(迄)頁: | 172110 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/371831 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。