https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/371840
標題: | InAs MOS devices passivated with molecular beam epitaxy-grown Gd2O3 dielectrics | 作者: | Lin, CA Huang, ML Chiu, P-C Lin, H-K Chyi, J-I Chiang, TH Lee, WC Chang, YC Chang, YH Brown, GJ others MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2012 | 卷: | 30 | 期: | 2 | 起(迄)頁: | 02B118 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science & Technology B | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/371840 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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