https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/372783
標題: | Interfacial layer-free ZrO<inf>2</inf> on Ge with 0.39-nm EOT, κ?43, ?2×10<sup>-3</sup> A/cm<sup>2</sup> gate leakage, SS =85 mV/dec, I<inf>on</inf>/I<inf>off</inf> =6×10<sup>5</sup>, and high strain response | 作者: | Lin, C.-M. CHEE-WEE LIU et al. |
公開日期: | 2012 | 來源出版物: | International Electron Devices Meeting, IEDM | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84876150487&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/372783 |
DOI: | 10.1109/IEDM.2012.6479086 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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