https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378076
標題: | Effect of electrons trapping/de-trapping at Si-SiO2 interface on two-state current in MOS(p) structure with ultra-thin SiO2 by anodization | 作者: | Chen, T.-Y. Pang, C.-S. Hwu, J.-G. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 2013 | 卷: | 2 | 期: | 9 | 來源出版物: | ECS Journal of Solid State Science and Technology | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84887349519&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378076 |
DOI: | 10.1149/2.025309jss |
顯示於: | 電機工程學系 |
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