https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378419
標題: | Unintentional annealing of the active layer in the growth of InGaN/GaN quantum well light-emitting diode structures | 作者: | Mickevi?ius, J. Dobrovolskas, D. ?imonyte, I. Tamulaitis, G. Chen, C.-Y. Liao, C.-H. Chen, H.-S. Yang, C.C. CHIH-CHUNG YANG |
公開日期: | 2013 | 卷: | 210 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 1657-1662 | 來源出版物: | Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84882456073&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/378419 |
DOI: | 10.1002/pssa.201228824 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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