https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/380236
標題: | The effect of germanium fraction on high-field band-to-band tunneling in p+-SiGe/n+-SiGe junctions in forward and reverse biases | 作者: | Li, J.-Y. Sturm, J.C. JIUN-YUN LI |
公開日期: | 2013 | 卷: | 60 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 2479-2484 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84880856836&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/380236 |
DOI: | 10.1109/TED.2013.2267172 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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