https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/380237
標題: | Implant isolation of silicon two-dimensional electron gases at 4.2 K | 作者: | Huang, C.-T. Li, J.-Y. Sturm, J.C. JIUN-YUN LI |
公開日期: | 2013 | 卷: | 34 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 21-23 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84871772433&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/380237 |
DOI: | 10.1109/LED.2012.2228160 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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