https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/387155
標題: | Enhancement-Mode GaN-Based High-Electron Mobility Transistors on the Si Substrate With a P-Type GaN Cap Layer | 作者: | Liang-Yu Su Finella Lee Jian Jang Huang JIAN-JANG HUANG |
公開日期: | 二月-2014 | 卷: | 61 | 期: | 2 | 起(迄)頁: | 460--465 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/387155 | DOI: | 10.1109/ted.2013.2294337 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。