https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443322
標題: | Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high 庥 gate dielectric using a CMOS compatible process | 作者: | Fu, C.H. Lin, Y.H. Lee, W.C. Lin, T.D. Chu, R.L. Chu, L.K. Chang, P. Chen, M.H. Hsueh, W.J. Chen, S.H. Brown, G.J. Chyi, J.I. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2015 | 卷: | 147 | 起(迄)頁: | 330-334 | 來源出版物: | Microelectronic Engineering | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443322 | DOI: | 10.1016/j.mee.2015.04.098 |
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