https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443358
標題: | Atomic-layer-deposited Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> and HfO<inf>2</inf> on GaN: A comparative study on interfaces and electrical characteristics | 作者: | Chang, Y.C. Huang, M.L. Chang, Y.H. Lee, Y.J. Chiu, H.C. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 88 | 期: | 7 | 起(迄)頁: | 1207-1210 | 來源出版物: | Microelectronic Engineering | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443358 | DOI: | 10.1016/j.mee.2011.03.098 |
顯示於: | 物理學系 |
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