https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443431
標題: | Ga2 O3 (Gd2 O3) Si3 N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion | 作者: | Zheng, J.F. Tsai, W. Lin, T.D. Lee, Y.J. Chen, C.P. Hong, M. Kwo, J. Cui, S. Ma, T.P. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2007 | 卷: | 91 | 期: | 22 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443431 | DOI: | 10.1063/1.2817742 |
顯示於: | 物理學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。