https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443432
標題: | Self-aligned inversion n-channel In<inf>0.2</inf>Ga<inf>0.8</inf>As/GaAs MOSFET with TiN gate and Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> (Gd<inf>2</inf>O <inf>3</inf>) dielectric | 作者: | Chen, C.-P. Lin, T.-D. Chang, Y.-C. Hong, M. Kwo, J.R. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2007 | 來源出版物: | 2007 International Semiconductor Device Research Symposium | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443432 | DOI: | 10.1109/ISDRS.2007.4422234 |
顯示於: | 物理學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。