https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443476
標題: | Properties of high 庥 gate dielectrics Gd<inf>2</inf>O<inf>3</inf> and Y<inf>2</inf>O<inf>3</inf> for Si | 作者: | Kwo, J. Hong, M. Kortan, A.R. Queeney, K.L. Chabal, Y.J. Opila, R.L. Muller, D.A. Chu, S.N.G. Sapjeta, B.J. Lay, T.S. Mannaerts, J.P. Boone, T. Krautter, H.W. Krajewski, J.J. Sergnt, A.M. Rosamilia, J.M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2001 | 卷: | 89 | 期: | 7 | 起(迄)頁: | 3920-3927 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443476 | DOI: | 10.1063/1.1352688 |
顯示於: | 物理學系 |
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