https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443496
標題: | Quasistatic and high frequency capacitance-voltage characterization of Ga2O3-GaAs structures fabricated by in situ molecular beam epitaxy | 作者: | Passlack, M. Hong, M. Mannaerts, J.P. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 1996 | 卷: | 68 | 期: | 8 | 起(迄)頁: | 1099-1101 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443496 | DOI: | 10.1063/1.115725 |
顯示於: | 物理學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。