https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/73454
標題: | Structure and formation mechanism of V defects in multiple InGaN/GaN quantum well layers | 作者: | Shiojiri, M. Chuo, C. C. Hsu, J. T. Yang, J. R. Saijo, H. |
公開日期: | 2006 | 期: | 073505 | 起(迄)頁: | - | 來源出版物: | Journal of Applied Physics 99: | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/93259 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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