https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/75834
標題: | Improved Resistive Switching Memory Characteristics Using Core-Shell IrOx Nano-Dots in Al2O3/WOx Bilayer Structure | 作者: | Banerjee, W. Maikap, S. Rahaman, S.Z. Prakash, A. Tien, T.-C. Li, W.-C. JER-REN YANG |
公開日期: | 2012 | 卷: | 159 | 期: | 2 | 起(迄)頁: | - | 來源出版物: | Journal of The Electrochemical Society | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/243650 | DOI: | 10.1149/2.067202jes |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
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