彭隆瀚臺灣大學：光電工程學研究所王菘豊Wang, Sung-LiSung-LiWang2007-11-252018-07-052007-11-252018-07-052004http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/50778本論文主要分為二個部份討論氧化銦鎵透明導電膜。首先是它的製作方式，吾人採用了光致化學氧化法以及熱蒸鍍法分別成左漲赤囓X氧化銦鎵薄膜。 其二則是對氧化銦鎵薄膜進行特性分析，吾人對此薄膜進行穿透率、反射率、光激螢光等光學量測。CTLM與霍爾量測等電學量測，還有SEM，EDX，XRD，XPS，Surface Profiler，以期進一步了解氧化銦鎵薄膜的特性。 最後吾人將對量測結果進行總合討論。吾人之氧化銦鎵薄膜目前穿透率350 nm以上可達80%，電阻率最低4x10-3Ω-cm。There are two issues in this thesis. The first issue is the growth of indium gallium oxide thin film. We grow indium gallium oxide thin film successfully in two ways. One way is by photoelectrical chemical method (PEC method). The other way is by thermal evaporation. The second issue is the characteristics study of the indium gallium oxide thin film. After the growth of indium gallium oxide, we take some optical measurements such as transmission, reflection, and photoluminescence .Electrical measurements such as circle transmission line method (CTLM) and Hall measurement. Besides, SEM、EDX、XRD、XPS and surface profiler are also done on the samples in order to study the characteristics and quality of the oxide layer. Finally, we make a discussion on the characteristics and quality issue of indium gallium oxide film. Our indium gallium oxide film has 80% of transparency while photon energy below 3.54 eV. And the lowest resistivity(ρ) is 4x10-3Ω-cm .目錄 第一章 緒論 1 1-1 簡介 1 1-2 氧化銦錫透明導電膜之特性概述 3 1-3 氧化銦鎵透明導電膜研究背景 4 1-4 論文內容概述 5 第二章 氧化銦鎵薄膜之製作方法 6 2-1 簡介 6 2-2 光致化學氧化法 7 2-2-1 光致化學氧化法原理： 7 2-2-2氮化銦鎵表面電極的選擇與製作 10 2-2-3氮化銦鎵光致化學氧化膜成長 12 2-2-4氮化銦鎵光致化學氧化膜生長特性研究： 14 2-2-5 結論： 18 2-3 熱蒸鍍法 19 2-3-1 熱蒸鍍法簡介： 19 2-3-2 氧化鎵熱蒸鍍薄膜成長： 20 2-3-3 氧化銦熱蒸鍍薄膜成長： 21 2-3-4 氧化銦鎵熱蒸鍍薄膜成長： 22 2-4 結論 24 第三章 氧化銦鎵薄膜之特性量測 25 3-1 簡介 25 3-2 光學特性量測 26 3-2-1 穿透率： 26 3-2-1-1 光致化學氧化法氧化銦鎵薄膜穿透率量測 28 3-2-1-2 共熱蒸鍍法之氧化銦鎵薄膜穿透率量測： 30 3-2-1-3 超晶格熱蒸鍍法氧化銦鎵薄膜穿透率量測 38 3-2-1-4 結論： 40 3-2-2光激螢光 41 3-2-2-1 光致化學氧化法之氧化銦鎵薄膜PL量測： 43 3-2-2-2 共熱蒸鍍法之氧化銦鎵薄膜PL量測： 45 3-2-3 反射率 48 3-3 電學特性量測 51 3-3-1傳輸線法 51 3-3-1-1光致化學法氧化銦鎵膜CTLM量測 54 3-3-1-2熱蒸鍍法氧化銦鎵薄膜CTLM量測 58 3-3-1-3超晶格氧化銦鎵薄膜電流-電壓量測 63 3-3-2霍爾效應量測 65 3-3-2-1氧化銦鎵霍爾量測 68 3-4 表面特性量測 72 3-4-1表面平坦度 72 3-4-2掃描式電子顯微鏡 75 3-4-2-1 光致氮化膜掃描式電子顯微鏡量測結果 76 3-4-2-1 熱蒸鍍氧化銦鎵掃描式電子顯微鏡量測結果 78 3-4-3能量散布分析儀 81 3-5 材料特性量測 83 3-5-1電子能譜分析 83 3-5-1-1光致化學氧化膜電子束縛能分析 85 3-5-1-2共熱蒸鍍氧化銦鎵薄膜電子能譜分析 86 3-5-2 X光繞射分析 91 3-5-2-1 熱蒸鍍氧化銦鎵薄膜X光繞射分析 93 3-6 結論 98 第四章 結果討論 99 4-1 前言 99 4-2 光致化學法氧化銦鎵結果討論 100 4-3 熱蒸鍍法氧化銦鎵結果討論 102 第五章 結論 105 5-1 結論與未來展望 1051424748 bytesapplication/pdfen-US氧化銦鎵透明導電膜IGOTCLthesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/50778/1/ntu-93-R91941002-1.pdf