臺灣大學: 光電工程學研究所毛明華高崇閔Kao, Chung-MinChung-MinKao2013-03-272018-07-052013-03-272018-07-052011http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/253548我們成功的使用磷砷化銦鎵量子井作為主動層材料，製作出直徑為12μm大小的電注入微碟雷射，並量測到模態間距約16μm至18μm，與微碟的尺寸符合來證實為迴音廊模態。此外，我們也進行變溫量測，以觀察並討論到量子井和模態紅移的現象。 在本篇論文中，我們主要對於兩種樣品製程作比較。一為過去所使用的乾式及濕式蝕刻製程，另一樣品則在兩者之間多加入一次濕式蝕刻，對於主動層側向暴露的表面做處理，嘗試去減少外圍的缺陷原子層。 對於未經濕蝕刻表面處理的量子井微碟雷射其78K 的臨界電流為53.7μA，Q 值約為4400，可操作到最高溫度為250K，該溫度臨界電流為765.9μA，其特徵溫度為49K。而經濕蝕刻表面處理的量子井微碟雷射78K 的臨界電流為83μA，Q 值為3650，能操作到最高溫度為225K，臨界電流為618.5μA，其特徵溫度為68K。 最後，探討了由於蝕刻支柱寬度對臨界溫度的影響。1933298 bytesapplication/pdfen-US量子井電注入微碟雷射quantum wellcurrent-injectedmicrodisk laserthesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/253548/1/ntu-100-R98941100-1.pdf