吳志毅臺灣大學：光電工程學研究所阮卓群Ruan, Juo-ChiunJuo-ChiunRuan2007-11-252018-07-052007-11-252018-07-052007http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/50883本論文中，我們採用了pentacene來製作能在高頻元件下工作的有機二極體元件。它在無線射頻辨識系統（RFID，Radio Frequency Identification)的元件中，扮演著能夠持續穩定的整流電壓給晶片內的其他元件使用的重要角色。由於目前商業上RFID可實行的頻率是13.56MHz，而遺憾的是大部分的有機材料的載子遷移率太低，以至於無法在此頻率下發揮功能。因此，我們選擇了用pentacene為基礎來製作有機二極體，這是由於pentacene的載子遷移率遠較一般的有機材料來的高的原因。除此之外，我們本來還使用了PEDOT:PSS當作電洞注入層來增加元件的注入能力，藉此提升其載子遷移率。然而，卻也使得漏電流同時增加，大大降低了最大順向電流與最大逆向電流比，使得元件無法達到原先的高頻整流之目的。為此緣故，實驗上最後並不使用PEDOT:PSS，雖然載子遷移率因而降低，卻不至於無法在所希望的頻率下使用。最後，我們成功的在10MHz這個數量級下整流出4.14V的直流電壓，元件的載子遷移率約為0.019cm2/Vs。In this thesis, we adopt pentacene to fabricate organic diodes working on RF devices. It plays an important role which continuously offers stable voltage to other components in RFID tag chips. By far, commercial RFIDs operate at 13.56MHz. Unfortunately, the mobility of most organic materials is too low to work at such high frequency. Accordingly, we fabricate organic diodes based on pentacene as a result of higher mobility of pentacene as compared with other common organic materials. Besides, we use PEDOT:PSS as HIL（Hole Injection Layer） to improve carrier injection, thus promoting the carrier mobility. However, it also increases leakage current and lowers current of forward bias/reverse bias ratio so that organic diodes can not rectify at high frequency. Consequently, we decide not to use PEDOT:PSS in our experiment. Although the carrier mobility lowers, it still can rectify at 13.56MHz. Finally, we successfully complete organic diode devices operating at the order of 10MHz. The device has the rectifying voltage about 4.14V and carrier mobility about 0.019cm2/Vs.內容 第一章 簡介 1 1-1有機RFID之發展 1 1-2有機薄膜電晶體與有機二極體的比較 5 1-3有機元件載子傳輸及原理介紹 7 第二章 實驗介紹 17 2-1材料介紹 17 2-1.1 PEDOT:PSS 17 2-1.2 pentacene 18 2-2 實驗儀器介紹 19 2-2.1 超音波震洗機 19 2-2.2 紫外光/臭氧處理機（UV/Ozone） 19 2-2.3 旋轉塗佈機 20 2-2.4 加熱平台 21 2-2.5 真空蒸鍍機 21 2-3 量測儀器介紹 22 2-3.1 IV量測儀器 22 2-3.2 child`s law介紹 22 2-3.3 高頻量測 24 2-4 實驗步驟 24 第三章 實驗結果與討論 31 3-1 pentacene與成長條件的關係 31 3-2 兩種PEDOT:PSS的比較 33 3-3元件特性分析及量測結果 35 3-3.1不同厚度對元件特性的影響 35 3-3.2增加PEDOT:PSS層對元件特性的影響 36 3-3.3 10.2MHz交流高頻整流結果 38 第四章 總結與未來展望 57 4-1總結 57 4-2未來展望 58 參考文獻： 592043787 bytesapplication/pdfen-US無線射頻標籤高頻整流RFIDtagrectifierthesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/50883/1/ntu-96-R94941085-1.pdf