國立臺灣大學電子工程學研究所呂學士2006-07-262018-07-102006-07-262018-07-102004-07-31http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20001在本計劃中，3.9-4.2 GHz 單晶CMOS 壓 控振盪器被製作完成。此電路在6.6 mW 的功 率消耗下，可於偏離振盪頻率600kHz 與1MHz 處分別達成–115.5dBc/Hz 與–119.7dBc/Hz 的相位雜音，其表現已與現今的其他單晶 CMOS 壓控震盪器相當。此壓控振盪器在經過 電感性耦合電漿後製程處理後，在同樣是 6.6mW 的功率損耗之下，可於偏離振盪頻率 600kHz 與1MHz 處分別達成–118.2dBc/Hz 與–122.9dBc/Hz 的相位雜音。根據其表現所 計算得出的PFN 值(公認的正規化優劣指標) 為13.6，超越了其他所有的單晶CMOS 壓控震 盪器，可說是目前為止整體表現最佳的單晶 CMOS 壓控震盪器。In this project, a 3.9-4.2GHz monolithic CMOS VCO (voltage control oscillator) is accomplished. With a power consumption of 6.6mW, phase noise of–115.5 dBc/Hz and–119.7dBc/Hz can be achieved at offset frequency of 600kHz and 1MHz respectively, which is comparable to the performance of recently published monolithic CMOS VCOs. After being handled with ICP (inductive coupled plasma) post processing, with the same power consumption of 6.6mW, phase noise of –118.2dBc/Hz and –122.9 dBc/Hz can be achieved at offset frequency of 600 kHz and 1 MHz respectively. Its F.O.M. (13.6) is superior to all monolithic CMOS VCOs, and represents the state of the art.application/pdf1025504 bytesapplication/pdfzh-TW國立臺灣大學電子工程學研究所壓控振盪器相位雜音微機電VCOphase noiseMEMSreporthttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/20001/1/922212E002091.pdf