Lee, M.H.M.H.LeeChen, P.-G.P.-G.ChenFan, S.-T.S.-T.FanChou, Y.-C.Y.-C.ChouKuo, C.-Y.C.-Y.KuoTang, C.-H.C.-H.TangChen, H.-H.H.-H.ChenGu, S.-S.S.-S.GuHong, R.-C.R.-C.HongWang, Z.-Y.Z.-Y.WangChen, S.-Y.S.-Y.ChenLiao, C.-Y.C.-Y.LiaoChen, K.-T.K.-T.ChenChang, S.T.S.T.ChangLiao, M.-H.M.-H.LiaoLi, K.-S.K.-S.LiCHEE-WEE LIU2019-03-112019-03-112018https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404516Ferroelectric Al:HfO <inf>2</inf> negative capacitance FETsconference paper10.1109/IEDM.2017.82684452-s2.0-85045216708