指導教授：瞿大雄臺灣大學：電機工程學研究所張祚榮Chang, Tso-JungTso-JungChang2014-11-282018-07-062014-11-282018-07-062014http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/262955本論文說明使用並聯電容及電感串接於電晶體源極設計反射式放大器，首先由基本理論說明振盪條件，分析閘極端之輸入阻抗，可由源極串接之共振回授電路，求得反射式放大器之操作頻寬，並提供設計回授電路元件值之流程，供設計者參考。This thesis presents the design of reflection-type amplifier using shunt inductor and capacitor at the transistor source termination. The basic theory of oscillation condition is discussed in Chapter 1. In Chapter 2, analysis of the input impedance at the gate termination of a transistor with drain termination shorted and source terminated with a shunt LC resonator gives the operational bandwidth of a reflection amplifier. Furthermore, the design flow of choosing element values of the shunt inductor and capacitor is provided in Chapter 3, based on the required operational bandwidth as a reference for the circuit designer.摘要.…… ..iv ABSTRACT v 誌謝…….. vi 圖目錄….. vii 表目錄…. viii 第一章 共振電路及負電阻原理 1 1.1負電阻原理 2 1.2 共振電路 2 1.3 電路振盪條件 6 第二章 回授電路 11 2.1 電容性回授電路 11 2.2 電感性回授電路 12 2.3 共振回授電路 14 第三章 設計流程 17 3.1 輸入阻抗分析 18 3.2振盪之可能性 17 3.3 反射式放大器設計流程 21 第四章 模擬及量測結果 27 4.1 輸入阻抗 27 4.2 反射增益 27 第五章 結論 32 參考文獻… 33 附錄一、NE32684A 電晶體資料 34 附錄二、NE32584C 電晶體資料 393005053 bytesapplication/pdf論文公開時間：2014/08/01論文使用權限：同意有償授權(權利金給回饋本人)反射式單埠負電阻共振thesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/262955/1/ntu-103-R01942017-1.pdf