國立臺灣大學機械工程學系暨研究所周元昉2006-07-252018-06-282006-07-252018-06-282004http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/15882本計畫擬開發適用於ISM2.4 頻帶的高頻 的帶通濾波器，為使開發的濾波器能具有與 RFIC 整合的潛力，所以選用薄膜型式的塊體 波濾波器(BAW filter)。為決定電極間隔必須 先求得壓電平板內波傳的頻譜。在第一期計 畫中已發展出求取在不同邊界條件下壓電平 板波傳頻譜及相對應的模態的方法，此法適 用於所有Limiting group 具對稱性與 Point group 具對稱性的壓電平板。此外 並採用射頻濺鍍成長出氮化鋁(AlN)壓電薄 膜，由X-ray 繞射的結果發現所製備之AlN 壓電薄膜具C 軸結構，因此可滿足製作塊體 波濾波器的需求。 ∞mm 6mm 在以壓電薄膜製作濾波器時，電極的厚 度約較壓電薄膜厚度小一個數量級，因此效 應應加以考慮。電極所產生的效應以兩種模 式考慮，對於很薄的電極只需以慣性力效應 近似;而相對較後的電極，則必須完整考慮 電極之慣性與彈性效應。利用求得的頻散曲 線與相對應的波動場形，即可設計出符合規 格的濾波器。在製作濾波器方面，本期計畫已完成濾 波器的設計，並將利用氮化鋁(AlN)壓電薄膜 試製原型。application/pdf556119 bytesapplication/pdfzh-TW國立臺灣大學機械工程學系暨研究所濾波器塊體波頻譜壓電薄 膜reporthttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/15882/1/922212E002017.pdf