吳志毅臺灣大學：光電工程學研究所莊家霖Juang, Jia-LinJia-LinJuang2007-11-252018-07-052007-11-252018-07-052006http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/50881本篇論文研究氧化鋅摻雜鎵在p型氮化鎵上的歐姆接觸。我們使用射頻濺鍍儀將氧化鋅摻雜鎵薄膜濺鍍在P型氮化鎵上。350奈米的氧化鋅摻雜鎵薄膜在 400 奈米至 500 奈米的藍光波段有 75% 到 82% 的穿透率。氧化鋅摻雜鎵作為P型氮化鎵的電極，在氮氣環境中退火 700oC 5分鐘可達到 1.2×10-2 (ohm cm2) 的特徵接觸阻抗。使用二次離子質譜儀和X光光電子能譜分析來了解氧化鋅摻雜鎵和P型氮化鎵介面處的反應後，發現熱退火過程可以幫助鎵元素從P型氮化鎵向外擴散，有效減低特徵接觸阻抗。We report on the Ga-doped ZnO ohmic contact to p-GaN. The GZO transparent ohmic contact layer was deposited on p-GaN by RF- sputter. The transmittance of a GZO film with a thickness of 350 nm was 75%-82% for the light in the wavelength range of 400 and 500 nm.In addition,the GZO contact film yielded a low specific contact resistance of 1.2×10-2 (ohm cm2) on p-GaN when annealed at 700oC for 5 min under a nitrogen ambient. Secondary ion mass spectroscopy and x-ray photoemission spectroscopy analyses of the GZO and p-GaN interface indicated that Ga atoms had out-diffused after the thermal annealing process, resulting in a decrease in contact resistance.第一章 介紹 1 第二章 半導體接面原理與實驗流程 2.1 歐姆接觸原理 4 2.2 圓形傳輸線模型理論 10 2.3 p型氮化鎵材料活化 13 2.4 表面清洗處理及去除表面氧化層 15 2.5 黃光微影製程 18 2.6 濺鍍電極及圖形剝離 20 2.7 快速熱退火處理 21 2.8 表面分析 22 第三章 歐姆接觸條件 3.1 原生氧化層清潔方式比較 24 3.2 濺鍍氧分壓比較 26 3.3 濺鍍總壓力比較 29 3.4 熱退火溫度比較 31 第四章 光穿透率與表面介面分析 4.1 藍光穿透率 37 4.2 X光光電子能譜分析(XPS) 39 4.3 二次離子質譜分析(SIMS) 40 4.4 發光二極體製作(LED) 41 第五章 結論 44 參考文獻 45603462 bytesapplication/pdfen-US氧化鋅摻雜鎵歐姆接觸特徵接觸阻抗GZOohmic contactspecific contact resistancethesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/50881/1/ntu-95-R93941046-1.pdf