郭正邦臺灣大學：電子工程學研究所謝泊含Hsieh, Bo-HanBo-HanHsieh2007-11-272018-07-102007-11-272018-07-102006http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/57417本論文中提出三閘鰭狀場效電晶體元件在直流與交流的分析。 第一章主要是針對鰭狀場效電晶體元件做一個簡介，說明鰭狀場效電晶體元件如何從傳統的金氧半元件演化而來，並提出一個三閘鰭狀場效電晶體元件。 第二章則是探討通道長度為100奈米三閘鰭狀場效電晶體元件，當閘極為N+多晶矽，在不同的鰭寬度、高度及摻雜濃度時，其直流現象的分析。 第三章則是探討通道長度為100奈米三閘鰭狀場效電晶體元件，當閘極為N+多晶矽，在不同的鰭寬度、高度及摻雜濃度時，其電容現象的分析。This thesis reports an analysis of DC and AC behavior of Tri-Gate Fin-FET (Field Effect Transistor) device. In chapter 1, we make an introduction for Fin-FET and describe its evolution from conventional MOS device and propose a structure called Tri-Gate Fin-FET device. In chapter 2, we discuss the DC phenomenon of a 100nm Tri-Gate Fin-FET device with the N+ poly gate in different fin width, height, and doping. In chapter 3, we discuss the capacitance phenomenon of a 100nm Tri-Gate Fin-FET device with the N+ poly gate in different fin width, height, and doping.口試委員會審定書 ii 誌謝 iii 中文摘要 iv 英文摘要 v 第一章 導論 1 1-1 為什麼是Fin-FET元件 1 1-2 金氧半元件的演進 1 1-3 Fin-FET元件 3 1-4 Fin-FET元件的製造流程 4 1-5 本篇論文的目標 4 第二章 通道長度為100奈米的N+多晶矽閘極三閘鰭狀場效電晶體元件在不同鰭寬度、高度及摻雜濃度的直流現象分析 5 2-1 元件結構簡介 5 2-2 電流現象分析 – 改變鰭狀通道寬度的比較 7 2-3 電流現象分析 – 改變鰭狀通道高度的比較 9 2-4 電流現象分析 – 改變鰭狀通道摻雜濃度的比較 12 2-5 臨界電壓分析 14 2-6 結論 18 第三章 通道長度為100奈米的N+多晶矽閘極三閘鰭狀場效電晶體元件在不同鰭寬度、高度及摻雜濃度的電容現象分析 19 3-1 簡介 19 3-2 電容現象 20 3-3 電容行為的模擬分析 22 3-4 電容現象分析 – 改變鰭狀通道寬度的比較 24 3-5 電容現象分析 – 改變鰭狀通道高度的比較 27 3-6 電容現象分析 – 改變鰭狀通道摻雜濃度的比較 29 3-7 結論 31 第四章 總結 32 參考文獻 33en-US電容電晶體場效電晶體capacitancefinfetsoimosfetthesis