張家歐張簡文添臺灣大學：李梓瑋Li, Zih-WeiZih-WeiLi2007-11-292018-06-282007-11-292018-06-282004http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/61895本文探討單晶體矽的外凸角隅經過濕濕蝕刻後的底切行為，但由於前人所研究的結果有相當多互相矛盾且沒有說明決定底切面米勒指標的方法，而本文提出一套決定底切面米勒指標的方法。本文假設經過蝕刻後角隅底切面為同軸，基於這個假設利用立體投影圖、沃夫座標圖和由光學顯微鏡所量出的夾角去決定底切面的米勒指標，使用掃瞄式電子顯微鏡去驗證底切面是否為同軸，使用表面輪廓儀量測底切面與底面的夾角並與理論值做比較，使用向量方法求出夾角並與實驗值做比較。實驗結果與驗證發現我們所建立的方法是正確的，而且在相同的實驗條件下實驗結果與Beam[13]所定義的米勒指標相同，與 [21]所拍攝的SEM圖相同，更可支持本文的假設與建立決定底切面米勒指標的方法是正確的。利用本文所建立的方法找出正確的底切面，進而量測底切面蝕刻速率，即可設計出適合的蝕刻補償結構。摘要..... I 目錄..... Ⅱ 圖目錄.....IV 第一章　導論...... 1 1-1 論文回顧..... 1 1-2 研究動機..... 7 1-3 論文架構..... 10 第二章　理論...... 11 2-1 基本的蝕刻機制........ 11 2-2 如何決定蝕刻後的新生晶格面..... 13 2-3 如何利用立體投影圖與沃夫座標圖決定未知晶格面的米勒指標....... 17 2-4 利用向量方法驗證所求出米勒指標的正確性.. 21 2-5 分析 ........24 第三章　實驗方法、分析與結果........ 31 3-1 製程規劃..... 31 3-2 製程步驟..... 33 3-3 實驗結果與分析........ 37 3-3-1 以KOH為蝕刻液蝕刻Si{100}………………………………38 3-3-2 以KOH加上過飽和IPA為蝕刻液蝕刻Si{100}……………49 3-3-3 以KOH為蝕刻液蝕刻Si{110}………………………………56 3-3-4 以KOH加上過飽和IPA為蝕刻液蝕刻Si{110}……………70 第四章　結論與未來展望..... 84 參考文獻.......... 86 附錄一 底切面是否為同軸的判斷方法........... 89 附錄二 如何利用光學顯微鏡量測底切面角度..... 94en-US底切面米勒指標miller indexduercuting facetsthesis