2023-01-012024-05-14https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/657629電晶體的數量，決定了運算的速度。從0.13製程的微米世代、到現在的奈米世代，都是透過微縮製程以提升電晶體數量，但在逼近物理極限的時刻，這樣的方式顯得捉襟見肘，因此三維積體電路備受關注。隨著移動裝置革新，手持裝置影音功能及傳輸的需求會逐漸提升，導致處理器和記憶體之間的頻寬需求大增，故封裝技術上必須應用處理器和記憶體進行上下堆疊的結構，再用三維電路封裝技術做最短的電性連結，積體電路也從平面逐漸變成垂直方向的整合，因此邏輯和記憶體元件堆疊的異質整合也被認為是三維電路最大的應用市場。然而隨著垂直方向電晶體堆疊層數的增加，雖帶來了單位面積計算能力的提升，但是總發熱量也會隨著晶圓堆疊的方式成倍數的提高。透過傳統矽穿孔進行垂直方向的散熱的改善，無法單獨因應堆疊層數造成倍數增加的熱能堆積，一套會隨著三維晶圓堆疊而可以共同提升的散熱技術，已經成為各領先半導體廠競逐下一代晶片效能的指標技術。二維材料 環氧樹脂 散熱封裝材料 電磁波屏蔽;2D material; Epoxy Molding Compound; High thermal conductivity packaging material;u-bond; Flip Chip; EMI shielding