指導教授：黃俊郎臺灣大學：電子工程學研究所毛睿Mao, RuiRuiMao2014-11-302018-07-102014-11-302018-07-102014http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/263924隨著積體電路技術的不斷發展，電路尺寸更小，性能更高，成本也變得越來越高。使用矽穿孔(TSV)技術的三維記憶體是一種新興的技術，相比平面積體電路有更高的性能和更低的功耗。然而三維記憶體的堆疊產量仍然是一個問題。 在這篇論文中，我們提出了一個改進自匈牙利方法(The Hungarian Method of Assignment)的新演算法對三維記憶體(3D Memory)進行晶圓到晶圓堆疊。實驗結果表明我們的算法可以在一個合理的時間內，給出較高的堆疊良率。As the process technology continues to evolve, IC become smaller and high performance, and the cost become higher. A 3D-IC uses Through Silicon Via (TSV) is an emerging technology, higher performance, and lower power consumption compared to planar ICs. However stacking yield is a problem of 3D-IC. In this thesis, we propose a new algorithm using improved from the hungarian method of assignment on the three-dimensional memory for wafer to wafer stacking. Our results show that our algorithm can be a reasonable amount of time, given the higher stacking yield.口試委員會審定書 # 誌謝 i 中文摘要 ii ABSTRACT iii CONTENTS iv LIST OF FIGURES vi LIST OF TABLES vii Chapter 1 Introduction 1 1.1 採用矽穿孔技術的三維積體電路 1 1.2 三維積體電路的堆疊技術 2 1.3 晶圓到晶圓堆疊的相關研究 3 1.4 論文目的 3 1.5 論文構成 3 Chapter 2 Preliminaries 5 2.1 指派問題 5 2.2 匈牙利方法 6 Chapter 3 The Proposed Method 12 3.1 三維記憶體堆疊問題 12 3.2 超平面覆蓋法 14 3.3 演算法的對稱性 19 3.4 相似度優先演算法 21 Chapter 4 Simulation Results 27 Chapter 5 Conclusions and Future Work 31 5.1 結論 31 5.2 未來工作 31 REFERENCE 33919985 bytesapplication/pdf論文使用權限：不同意授權三維記憶體晶圓到晶圓堆疊演算法thesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/263924/1/ntu-103-R00943152-1.pdf