國立臺灣大學電機工程學系暨研究所呂學士2006-07-252018-07-062006-07-252018-07-061999-07-31http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/7727為了要使電晶體有更高的增益與電 流值，縮小閘極長度並同時閘極電阻是必 要的。因此，T 型( 或蘑菇型 ) 次微米閘 極元件的製作勢在必行。本年度的研究目 標就是在探討次微米T 型閘極的製作方 法。我們利用光阻加熱流動的特性以及三 層光阻的結構，設計了一套次微米T 型閘 極的製程步驟，並且以實驗驗證其可行 性。結果顯示，在不需要昂貴的電子束曝 光機的條件之下，我們利用傳統的UV 光 阻亦可做出具有深次微米寬度之T 型閘 極。For more power gain and current, shrinking gate length but at the same time decreasing gate resistance is essential. The T shape submicron gate is the most effective way to meet both requirements. In this year, our research is focused on the fabrication of the T-shape submicron gate length by photoresist reflowing method. Using the flowing property of photoresist under high enough temperature and tri-layer photoresist structure, we have formed the submicron Tgate without resorting to the E-beam or Xray lithography.application/pdf1036604 bytesapplication/pdfzh-TW國立臺灣大學電機工程學系暨研究所GaInP HFET MMIC processingreporthttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/7727/1/882219E002009.pdf