國立臺灣大學電機工程學系劉仁傑2006-09-272018-07-062006-09-272018-07-06http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20060927122810632780隨著數位通信不斷提昇頻率和頻寬需求,毫米波壓控振盪器的設計越來越重要。在毫米波 的頻段,整合型壓控振盪器的實現主要是仰賴三五族元件或是矽鍺異質接面電晶體。而使用金 氧半製程壓控振盪器,目前發表的最高頻率為51 GHz。然而,這些大於30 GHz的設計,輸出 功率實在是太低,即使使用了輸出緩衝放大器。此外這些設計還必需使用到銅導線及低介電係 數的0.12微米製程、或是高阻值基板的0.25 微米製程。本研究主要是實現一個輸出頻率大放 0.25微米金氧半製程元件最大共振頻率的壓控振盪器,及提供元件模型和電磁模擬正確性的驗 證。application/pdf195904 bytesapplication/pdfzh-TW使用0.25微米金氧半製程之63 GHz壓控振盪器A 63-GHz VCO Using a Standard 0.25-mm CMOS Processthesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/20060927122810632780/1/0000000000000000003.pdf