張顏暉臺灣大學：物理研究所詹曜丞Jan, Yau-ChengYau-ChengJan2007-11-262018-06-282007-11-262018-06-282005http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/54532本論文主要是利用有機金屬化學氣相沈積法(MOCVD)成長量子點的實驗，在確定磊晶參數，和成長速率後，在GaAs基板上成長以ZnS為包覆層的ZnTe量子點。 利用高解析度掃瞄式電子顯微鏡(HRSEM)去看我們的樣品中是否有量子點的存在於表面上。 接者在利用光致激發光譜(PL)量測我們的樣品，發現我們剛成長好的樣品發光強度會隨著時間decay，可能是因為剛長好的樣品中defects太多所以會有這樣的結果，後來也做了好幾次的分析，我們也發現會有不同的結果。 也利用陰極螢光光譜量測(CL)去量測我們的樣品，我們可以看到在CL的量測中，看到在PL量測中看不到的現象，同時知道defects對我們樣品的影響確實存在。目錄 致謝 Ⅰ 論文摘要 Ⅱ 圖表索引 Ⅲ 第一章 緒論 1 1.1 引言 1 1.2 量子侷限 4 1.3 ZnS、ZnTe的性質 9 1.4 應變效應 11 1.5 成熟效應 14 第二章 MOCVD基本概論 15 2.1 MOCVD 系統介紹 15 2.2 磊晶參數計算 18 2.3 磊晶機制 20 2.3.1 磊晶的熱力平衡 20 2.3.2 反應分子在基材表面拆散傳輸過程 21 2.3.3 磊晶模式 24 第三章 實驗方法 3.1磊晶參數設定 28 3.2樣品設計 29 3.2.1 ZnTe/ZnS量子點成長方式 30 3.2.2 ZnTe/ZnS 量子點樣品結構圖 31 3.3光致激發光譜量測 32 3.4陰極螢光光譜量測 34 第四章 實驗結果 35 4.1 成長速率 35 4.2 磊晶結果與量測方式 36 4.2.1 HRSEM的結果 36 4.2.2 PL量測結果 38 4.2.3 CL量測結果 47 第五章 結論 50 參考文獻 511042954 bytesapplication/pdfen-US碲化鋅量子點陰極螢光光譜量測光致激發光譜量測ZnTe Quantum DotsPhotoluminescenceCathodoluminescencethesishttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/54532/1/ntu-94-R90222051-1.pdf