2018-08-012024-05-17https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/689709摘要：本計畫進行超3奈米之前瞻半導體技術之探索研究，我們組成六個團隊(分項0至分項5)，從新穎材料(分項0及分項5)、前端元件(分項1、分項3及分項4)、後段連接(分項2)三大面向研析如何解決所涉及的相關技術問題，個分子計畫研究重點摘要如下。 分項0 超薄新穎材料，二維晶體及其異質結構 分項1 低溫製程之三維電晶體 分項2 接線互連 分項3 新興記憶體 分項4 量子計算 分項5 High- on III-V/Ge MOS與超高真空腔體運輸 <br> Abstract: Track 0： Ultra-thin New Materials, 2D Crystals and their Hetero-structures Track 1：3D Transistors with sub 400C thermal budgets Track 2：Interconnects Track 3：Emerging Memories Track 4： Quantum computing Track 5：In-situ MBE/ALD growth of quantum well and Gate Stack for Ge&InGaAs二維材料接點摻雜電晶體鐵電結構化學氣相沉積量子侷限效應三五族化合物高介電係數氧化物2D materialscontact dopingtransistorsferroelectric structurechemical vapor depositionquantum confinementIII-Vhigh-ultra-high vacuum