馮哲川2006-07-252018-07-052006-07-252018-07-052005-10-31http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/11236本報告總結國科會計畫NSC93－2215－E －002－035-「奈米結構性寬能隙氮化物暨其他 發光器件用半導體材料的磊晶和缺陷工程」(93 年8 月1 日至94 年10 月31 日)的執行成果。 在這段時間之內，計畫主持人(暨合作者和學生) 已經發表了1 本專業書籍，1 章專書著作以及9 篇發表(或已接受發表)在SCI 上的期刊論文。 主要的結果及成就包含了以下幾項：(A) 藍寶 石基板上金屬氧化物化學氣相磊晶成長的氮化 銦鎵/氮化鎵多量子井結構的發光復合機理與 缺陷，(B)以氮化鎵為基礎金屬氧化物化學氣相 磊晶成長的藍綠發光二極體的缺陷和影響，(C) 以金屬氧化物化學氣相磊晶成長的氮化鎵中P 型掺雜與退火的影響，(D)在金屬氧化物化學氣 相磊晶成長以矽為基板的氮化鎵龜裂現象的控 制與改善，(E)以金屬氧化物化學氣相磊晶成長 低銦濃度之氮化銦鎵合金的光致發光性質，(F) 以金屬氧化物化學氣相磊晶成長在砷化鎵基板 上之銻化銦的缺陷性質和光學特性，(G)在化學 氣相磊晶生長以矽為基板的立方結構碳化矽薄 膜的光學特性，(H)應用於可見光範圍發光二 極體且以金屬氧化物化學氣相磊晶成長的磷 化銦鋁鎵材料的缺陷性質和光學特性，(I)出版 碳化矽功率材料及元件專業書籍，(J) 提供十多 名研究生的良好訓練。This report reviews the performance on the project NSC 93-2218-E-002-011, Epitaxy and Defects Engineering of Nano-structural Wide Gap III-Nitrides and Related Semiconducting Materials for Light Emitting Devices for 8/1/2004 – 10/31/2005. In this period, P.I. (and collaborators as well as students) have published 1 specialized book [1], 1 review book chapter [2], 9 journal papers to be listed in SCI [3-11], and more conference/proceeding papers. Main results and achievements include: A) recombination mechanism and defects from InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) grown on sapphire by MOCVD, B) defects and influence from the MOCVD- grown GaN-based blue-green LEDs, C) effects of p-type doping and annealing for GaN grown by MOCVD, D) cracking control and improvement of GaN films grown on Si by MOCVD, E) photoluminescence features of low indium composition InGaN alloys grown by MOCVD, F) defect features and optical/transport properties of epitaxial InSb on GaAs by MOCVD, G) optical properties of CVD-grown cubic SiC thin films on Si substrates, H) defects and optical properties of MOCVD-grown InAlGaP materials for visible LED application, I) the publication of a specialized review book on SiC power materials and devices, and J) good trainings for more than 10 graduate students.application/pdf199671 bytesapplication/pdfzh-TW國立臺灣大學光電工程學研究所金屬氧化物化學氣相磊晶缺陷工 程氮化物量子井P 型摻雜碳化矽磷化 銦鋁鎵銻化銦砷化鎵MOCVD epitaxydefects engineeringGaNInGaNquantum wellsp-type dopingSiCAlInGaPInSbGaAsreporthttp://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/11236/1/932215E002035.pdf