https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/150818
標題: | Improvement in Radiation Hardness of n-MOSFET's with Gate Oxides Prepared by Multiple N20 Annealings | 作者: | 胡振國 Wu, Y. L. Kuo, K. M. Hwu, Jenn-Gwo |
公開日期: | 1994 | 起(迄)頁: | - | 來源出版物: | Proceedings of International Electronic Devices and Materials Symposium | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/154357 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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