https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/153392
標題: | The dislocation generation mechanism of In/sub x/Ga/sub 1-x/As epilayers (0.32/spl les/2/spl les/1) grown on InP substrates by molecular-beam epitaxy | 作者: | Chang, Shou-Zen Lee, Si-Chen |
公開日期: | 1994 | 來源出版物: | The 6th International Conference on Indium Phosphide and Related Material | 描述: | Santa Barbara, CA |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/2007041910032424 http://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/2007041910032424/1/00328173.pdf |
DOI: | 10.1109/ICIPRM.1994.328173 |
顯示於: | 電機工程學系 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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