https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340132
標題: | Sub-nanometer EOT scaling on In 0.53 Ga 0.47 As with atomic layer deposited HfO 2 as gate dielectric | 作者: | Lee, KY Chang, P Chang, YC Huang, ML Lee, YJ Hong, M Kwo, J MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 來源出版物: | 2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340132 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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